какая память лучше kingston или elpida

Несколько слов о 512Mb модулях Kingston на чипах Elpida

Сразу же обращает на себя внимание то, что модули памяти поставляются в пластиковой упаковке (это, честно говоря, и подкупило), что для 512Mb модуля памяти стоимостью около 71$ уже плюс. Ну, по-крайней мере, покупателю приятно 🙂.

Сами же двусторонние модули ничем примечательным не выделяются:

реклама

Никаких радиаторов, но достаточно подробный фирменный лейбл Kingston, как правило, являющийся одновременно и гарантийной наклейкой.

Судя по маркировке (нижняя строка) произведен чип на 52-й неделе 2004 года и имеет номинальное время доступа, равное 5 наносекундам. Маркировка самих модулей – KVR400X64C3A/512 – говорит о принадлежности памяти к классу, называемому самой Kingston как «ValueRAM«, отличающейся скромными техническими характеристиками и низкой стоимостью. На официальном сайте существует и datasheet модулей, который, впрочем, состоит из всего лишь 1 страницы:

Последняя версия Everest выдала следующую информацию о модулях памяти:

Номинальное напряжение, которое выставила материнская плата при установке модулей – 2.6v.

Тесты были проведены на следующей конфигурации:

реклама

Операционная система: Windows XP Home с установленным Service Pack 2.

Методика тестирования заключалась в следующем: сначала запускался бенчмарк из Prime95, затем расчет 32Mb в Super PI, а уже потом тестирование памяти с помощью S&M в течение 1 часа.

Память была протестирована как на дефолтовом напряжении, равном 2.6v., так и при увеличении его до 2.8v. и 3.0v. Впрочем, несколько забегая вперед, добавлю, что на повышение напряжения тестируемая память не реагировала вообще никак.

Тесты были проведены в обоих режимах работы памяти: одноканальном и двухканальном. Шаг изменения частоты, как и прежде, равнялся 1MHz. При сбое либо зависании частота снижалась и тесты проводились вновь. После нахождения максимума частоты постепенно уменьшались тайминги. И так цикл за циклом.

Тестирование началось в двухканальном режиме работы памяти с определения максимума частоты при максимальных таймингах (3-4-4-8) и максимальном напряжении, использованном в тестах (3.0v.). В итоге, память стабильно смогла работать только на 229MHz. Очень слабо, конечно 🙁. Но, быть может, удастся снизить при этом тайминги? Отчасти получилось:

Дальнейшее уменьшение таймингов работы оперативной памяти до сочетания 2-3-3-6 резко снизило ее частотные возможности:

Ну а уже при абсолютно минимальных таймингах 2-2-2-5 память смогла работать только на 155(310)MHz:

Несколько «подсластил пилюлю» тот факт, что при уменьшении напряжения работы памяти до номинального 2.6v. оверклокерские возможности (если так можно выразиться в данный момент 😉) данного продукта не изменились, что, в свою очередь, значит, что Kingston KVR400X64C3A/512 на чипах Elpida ни коим образом не реагирует на изменение напряжения ее работы.

Так как результаты тестирования памяти в одноканальном режиме оказались абсолютно идентичными результатам, полученным в двухканальном режиме, то Kingston на чипах Hynix или Kingston выглядит более привлекательным приобретением, чем сегодняшний «герой» тестирования.

В общем, завершив безрезультатные поиски оверклокерской памяти в бюджетном сегменте рынка, в итоге я так и купил себе Patriot XBLK 🙂.

Источник

Micron D9PFJ и Elpida BCSE в модулях памяти объемом 4 Гбайта: Kingston, GeIL, Crucial (страница 3)

Тестовый стенд и ПО

Для тестирования был использован открытый стенд со следующей конфигурацией:

Методика тестирования

Для проверки разгонного потенциала оперативной памяти использовалась платформа Socket AM3+, состоящая из процессора AMD FX-8120 и материнской платы ASUS Crosshair V Formula. На данный момент это лучшая связка для разгона памяти, позволяющая получать частоты, превышающие три гигагерца. Использование именно FX-8120 не принципиально, для разгона DDR3 одинаково хорошо подойдет любой процессор на ядре Zambezi, даже четырех- и шестиядерные модели. А способность материнской платы ASUS Crosshair V Formula к отличному разгону памяти подтверждает тот факт, что мировой рекорд в 1800 (3600) МГц и второй за ним результат в 1745 (3490) МГц были получены именно на ней.

реклама

При использовании воздушного охлаждения частота КП у процессоров на ядре Zambezi обычно немного ниже, чем у процессоров Phenom II и Athlon II, но с удачным экземпляром и напряжением в интервале 1.45-1.50 В можно достичь уровня 3 ГГц. При применении жидкого азота напряжение CPU_NB можно поднять до 1.60-1.70 В и получить частоту КП выше 4 ГГц. Перед началом тестирования КП в процессоре был отдельно проверен на стабильную работу вплоть до 2700 МГц. Этого оказалось достаточно, чтобы разгон бюджетной памяти ничто не ограничивало как минимум до частоты 2700 МГц.

Вторичные тайминги для каждого типа модулей индивидуально не подбирались. В этом не было необходимости, поскольку в BIOS материнской платы ASUS Crosshair V Formula есть возможность загрузить профиль с таймингами, уже оптимизированными для модулей объемом 4 Гбайта (пункт Load 4GB Settings). После его загрузки плата устанавливает задержки следующим образом:

Для разогрева памяти и поиска предельных рабочих частот использовался MemTest86+ v4.20 (не менее четырех проходов теста #5 общей длительностью не менее 12 минут). Управление частотой шины и напряжениями осуществлялось «на лету» при помощи технологии ROG Connect. Дополнительно, после выявления самой высокой частоты для каждого типа памяти, эта частота проверялась в LinX v0.6.4.

Все модули тестировались со следующим набором напряжений:

Далее проверялась способность памяти масштабироваться по частоте с более высоким (выше, чем 1.65 В) напряжением и последующий поиск оптимального для неё напряжения.

Реальное напряжение, измеренное при помощи мультиметра UNI-T M890G, было на 0.02 В выше установленного в BIOS.

Память обдувалась только потоком воздуха, проходящего через пару 140 мм вентиляторов, установленных на процессорном кулере Thermalright Archon. В дополнительном охлаждении не было необходимости, так как ни один из протестированных модулей не потребовал для раскрытия своего потенциала напряжения выше, чем 1.75 В. После разогрева под нагрузкой память была теплой на ощупь, но не горячей. Температура воздуха в помещении была на уровне +20°C.

реклама

Результаты разгона

Для каждого из протестированных модулей приведены скриншоты (кликабельные, по ссылкам находятся более подробные варианты) с информацией из SPD, полученной при помощи программы Thaiphoon Burner v7.3.2.0 build 0822.

Kingston KVR1333D3N9/4G (Elpida J2108BCSE-DJ-F)

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

График с результатами разгона:

Память на микросхемах Elpida J2108BCSE-DJ-F откровенно разочаровала. Она не смогла взять даже 2000 МГц.

В процентном соотношении разгон может и не кажется совсем уж плохим – он составил +31% к номинальной частоте без изменения таймингов (9-9-9) и +44% после повышения их до 10-10-9. Но учитывая, что раньше (во времена массового использования памяти с плотностью микросхем один мегабит) эта компания выпускала очень даже неплохую память (достаточно вспомнить MNH-E/MGH-E Hyper и BBSE), а также на фоне успехов конкурентов (Hynix и Samsung), такой разгонный потенциал выглядит как полный провал.

Первым делом под подозрение попала низкопрофильная печатная плата модулей Kingston, которая теоретически вполне могла ограничить разгон даже неплохих микросхем. Но, как показало тестирование комплекта GeIL Enchance Corsa GEC38GB1600C9DC, основанного на Elpida, причина оказалась именно в плохом частотном потенциале самих микросхем.

Проверка на штатных таймингах 9-9-9-24 выявила, что в интервале от 1.35 до 1.65 В память очень слабо реагирует на изменение напряжения. До 1.50 В частота немного растет, а затем чуть-чуть снижается. А вот выше 1.65 В наблюдается резкое ухудшение разгона. Стоит отметить одну особенность этих микросхем: если им не хватает напряжения, они начинают работать с ошибками (как обычно, чем выше частота – тем больше ошибок), а если напряжения, наоборот, много, то выше определенной частоты память либо работает без ошибок (какое-то время), либо сразу приводит к полному зависанию компьютера.

Вторая особенность: чем выше тайминги (и соответственно частота) – тем ниже напряжение, при котором разгон памяти не приводит к зависаниям. Это хорошо заметно на графике в интервале от 1.50 до 1.65 В: при 8-8-7 наблюдается небольшой рост частоты, при 9-9-9 небольшое снижение, при 10-10-9 – более сильное снижение.

Чтобы определить потолок по частоте, сначала было проведено тестирование с таймингами 11-13-12-28, поскольку выше этих значений дальнейший рост частоты у любой памяти обычно отсутствует. Затем они были снижены до 10-10-9-24, с которыми были получены такие же результаты, как и с более высокими таймингами. Дело не в том, что память не реагирует на их увеличение, а в том, что она неспособна работать на высокой частоте.

Сравнение различных комбинаций таймингов показало, что без потери частоты можно снизить на единицу tRP. Нет необходимости поднимать tRAS выше 24 (еще бы для таких-то низких частот) и тем более не нужно переключать Command Rate c 1T в 2T. Таким образом, оптимальная формула для Elpida J2108BCSE-DJ-F выглядит как X-X-(X-1).

GeIL Enchance Corsa GEC38GB1600C9DC (Geil GL1L256M88BA15AW)

реклама

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

Профиль XMP, устанавливающий частоту 1700 МГц с таймингами 9-9-9-28 и напряжением 1.50 B:

Источник

Elpida MGH-E Hyper в трехканальных комплектах DDR3 памяти Kingston HyperX

Первые опытные образцы памяти на чипах Elpida Hyper появилась еще в сентябре прошлого года, а в декабре пошли в массовое производство. В начале этого года многие производители памяти, такие как Corsair, OCZ, G.Skill, Kingston и другие, объявили о выпуске новых высокоскоростных комплектов памяти, основанных на этих чипах. Их преимущество было в том, что они могли работать на высоких частотах (от 2000 МГц) с сохранением низких таймингов (до 7-8-7-20 1T) и низкого напряжения (1.65 В), что идеально подходило для топовых систем построенных на новой в то время платформе Socket 1366. Но летом этого года несколько производителей столкнулись с массовым выходом из строя памяти, использующей в своей основе чипы Elpida Hyper. Сначала об отзыве и снятии с производства такой памяти объявила компания Corsair, а чуть позже к ней присоединилась и OCZ. Остальные тоже не могли проигнорировать данную проблему, и даже если и не делали официальных заявлений, но все равно искали замену проблемным чипам. Частично вместо Elpida Hyper стали использоваться Elpida BBSE или даже Samsung HCF0 там, где это позволял заявленный номинальный режим памяти, что естественно отрицательным образом отразилось на разгонном потенциале памяти и её привлекательности для оверклокеров.

Прошла всего пара недель и Corsair возобновил поставки памяти серии Dominator GT с такими же скоростными характеристиками, как и ранее, что говорит о том, что приемлемое решение проблемы с Elpida Hyper было найдено. Чтобы как-то различать новую и старую память, у неё был изменен part number. Например, самый быстрый в линейке комплект Corsair Dominator GT c номиналом 2000 МГц и таймингами 7-8-7-20 1T вместо TR3X6G2000C7GTF стал маркироваться как CMG6GX3M3A2000C7.

Через некоторое время аналогичные изменения произошли и в ассортименте компании Kingston. Модели с маркировками KHX16000D3ULT1K3/6GX и KHX16000D3ULT1K3/3GX, старшие в линейке трехканальных комплектов Kingston HyperX, были заменены аналогами с маркировкой KHX2000C8D3T1K3/6GX и KHX2000C8D3T1K3/3GX соответственно. Именно о них и пойдет речь в данной статье.

Источник

Micron D9PFJ и Elpida BCSE в модулях памяти объемом 4 Гбайта: Kingston, GeIL, Crucial (страница 3)

Тестовый стенд и ПО

Для тестирования был использован открытый стенд со следующей конфигурацией:

Методика тестирования

Для проверки разгонного потенциала оперативной памяти использовалась платформа Socket AM3+, состоящая из процессора AMD FX-8120 и материнской платы ASUS Crosshair V Formula. На данный момент это лучшая связка для разгона памяти, позволяющая получать частоты, превышающие три гигагерца. Использование именно FX-8120 не принципиально, для разгона DDR3 одинаково хорошо подойдет любой процессор на ядре Zambezi, даже четырех- и шестиядерные модели. А способность материнской платы ASUS Crosshair V Formula к отличному разгону памяти подтверждает тот факт, что мировой рекорд в 1800 (3600) МГц и второй за ним результат в 1745 (3490) МГц были получены именно на ней.

реклама

При использовании воздушного охлаждения частота КП у процессоров на ядре Zambezi обычно немного ниже, чем у процессоров Phenom II и Athlon II, но с удачным экземпляром и напряжением в интервале 1.45-1.50 В можно достичь уровня 3 ГГц. При применении жидкого азота напряжение CPU_NB можно поднять до 1.60-1.70 В и получить частоту КП выше 4 ГГц. Перед началом тестирования КП в процессоре был отдельно проверен на стабильную работу вплоть до 2700 МГц. Этого оказалось достаточно, чтобы разгон бюджетной памяти ничто не ограничивало как минимум до частоты 2700 МГц.

Вторичные тайминги для каждого типа модулей индивидуально не подбирались. В этом не было необходимости, поскольку в BIOS материнской платы ASUS Crosshair V Formula есть возможность загрузить профиль с таймингами, уже оптимизированными для модулей объемом 4 Гбайта (пункт Load 4GB Settings). После его загрузки плата устанавливает задержки следующим образом:

Для разогрева памяти и поиска предельных рабочих частот использовался MemTest86+ v4.20 (не менее четырех проходов теста #5 общей длительностью не менее 12 минут). Управление частотой шины и напряжениями осуществлялось «на лету» при помощи технологии ROG Connect. Дополнительно, после выявления самой высокой частоты для каждого типа памяти, эта частота проверялась в LinX v0.6.4.

Все модули тестировались со следующим набором напряжений:

Далее проверялась способность памяти масштабироваться по частоте с более высоким (выше, чем 1.65 В) напряжением и последующий поиск оптимального для неё напряжения.

Реальное напряжение, измеренное при помощи мультиметра UNI-T M890G, было на 0.02 В выше установленного в BIOS.

Память обдувалась только потоком воздуха, проходящего через пару 140 мм вентиляторов, установленных на процессорном кулере Thermalright Archon. В дополнительном охлаждении не было необходимости, так как ни один из протестированных модулей не потребовал для раскрытия своего потенциала напряжения выше, чем 1.75 В. После разогрева под нагрузкой память была теплой на ощупь, но не горячей. Температура воздуха в помещении была на уровне +20°C.

реклама

Результаты разгона

Для каждого из протестированных модулей приведены скриншоты (кликабельные, по ссылкам находятся более подробные варианты) с информацией из SPD, полученной при помощи программы Thaiphoon Burner v7.3.2.0 build 0822.

Kingston KVR1333D3N9/4G (Elpida J2108BCSE-DJ-F)

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

График с результатами разгона:

Память на микросхемах Elpida J2108BCSE-DJ-F откровенно разочаровала. Она не смогла взять даже 2000 МГц.

В процентном соотношении разгон может и не кажется совсем уж плохим – он составил +31% к номинальной частоте без изменения таймингов (9-9-9) и +44% после повышения их до 10-10-9. Но учитывая, что раньше (во времена массового использования памяти с плотностью микросхем один мегабит) эта компания выпускала очень даже неплохую память (достаточно вспомнить MNH-E/MGH-E Hyper и BBSE), а также на фоне успехов конкурентов (Hynix и Samsung), такой разгонный потенциал выглядит как полный провал.

Первым делом под подозрение попала низкопрофильная печатная плата модулей Kingston, которая теоретически вполне могла ограничить разгон даже неплохих микросхем. Но, как показало тестирование комплекта GeIL Enchance Corsa GEC38GB1600C9DC, основанного на Elpida, причина оказалась именно в плохом частотном потенциале самих микросхем.

Проверка на штатных таймингах 9-9-9-24 выявила, что в интервале от 1.35 до 1.65 В память очень слабо реагирует на изменение напряжения. До 1.50 В частота немного растет, а затем чуть-чуть снижается. А вот выше 1.65 В наблюдается резкое ухудшение разгона. Стоит отметить одну особенность этих микросхем: если им не хватает напряжения, они начинают работать с ошибками (как обычно, чем выше частота – тем больше ошибок), а если напряжения, наоборот, много, то выше определенной частоты память либо работает без ошибок (какое-то время), либо сразу приводит к полному зависанию компьютера.

Вторая особенность: чем выше тайминги (и соответственно частота) – тем ниже напряжение, при котором разгон памяти не приводит к зависаниям. Это хорошо заметно на графике в интервале от 1.50 до 1.65 В: при 8-8-7 наблюдается небольшой рост частоты, при 9-9-9 небольшое снижение, при 10-10-9 – более сильное снижение.

Чтобы определить потолок по частоте, сначала было проведено тестирование с таймингами 11-13-12-28, поскольку выше этих значений дальнейший рост частоты у любой памяти обычно отсутствует. Затем они были снижены до 10-10-9-24, с которыми были получены такие же результаты, как и с более высокими таймингами. Дело не в том, что память не реагирует на их увеличение, а в том, что она неспособна работать на высокой частоте.

Сравнение различных комбинаций таймингов показало, что без потери частоты можно снизить на единицу tRP. Нет необходимости поднимать tRAS выше 24 (еще бы для таких-то низких частот) и тем более не нужно переключать Command Rate c 1T в 2T. Таким образом, оптимальная формула для Elpida J2108BCSE-DJ-F выглядит как X-X-(X-1).

GeIL Enchance Corsa GEC38GB1600C9DC (Geil GL1L256M88BA15AW)

реклама

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

Профиль XMP, устанавливающий частоту 1700 МГц с таймингами 9-9-9-28 и напряжением 1.50 B:

Источник

Тестирование модулей оперативной памяти DDR3-1333 и DDR3-1600 объемом 8 Гбайт (страница 4)

Kingston KVR1333D3N9/8G (Elpida J4208EASE-DJ-F) DDR3-1333 8192 Мбайта

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

реклама

График с результатами разгона:

Оптимальные тайминги: X-(X-2)-(X-3).

Без потерь по частоте можно понизить RAS to CAS Delay (tRCD) на двойку и RAS Precharge (tRP) на тройку относительно CAS Latency (tCL).

Реакция на изменение напряжения: слабая, но есть во всем интервале от 1.35 В до 1.85 В и не зависит от установленных таймингов.

Минимальные тайминги для частоты 1333 МГц с напряжением 1.50 В: 8-6-5-15 1T

Samsung M378B1G73BH0-CH9 (SEC K4B4G0846B-HCH9) DDR3-1333 8192 Мбайта

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

реклама

График с результатами разгона:

Реакция на изменение напряжения:

Минимальные тайминги для стандартных частот:

Десятиминутная проверка в LinX:

Разгон на максимальную частоту памяти в CPUZ – 2600 МГц с таймингами 11-12-12-28 1T и напряжением 1.75 В:

Список модулей и комплектов памяти объемом 8 Гбайт

Чтобы облегчить поиск и выбор оперативной памяти для разгона, основанной на «правильных» микросхемах, силами участников оверклокерских форумов формируются списки, по которым можно определить, какие микросхемы памяти используются для производства тех или иных модулей и комплектов оперативной памяти. Есть даже отдельный сайт, целиком посвященный этой теме – RAM List.

Но на таких ресурсах сейчас в основном собирается информация по DDR3 памяти с плотностью микросхем в 1 Гбит (наиболее часто используемой оверклокерами из-за лучшего соотношения частот и таймингов) и по DDR3 памяти с плотностью микросхем в 2 Гбит (наиболее высокий разгон по частоте, пусть и с большими таймингами). А по DDR3 памяти с плотностью микросхем в 4 Гбит почти ничего нет, как из-за относительной новизны такой памяти, так и благодаря её меньшей распространенности (особенно среди оверклокеров).

По этой причине был собран свой собственный небольшой список, источником информации для которого послужили QVL-списки производителей материнских плат, сайты интернет-магазинов с фотографиями модулей памяти и другие.

реклама

Список модулей и комплектов памяти объемом 8 Гбайт на модуль
и использованных в них микросхем

Заключение

В целом модули памяти объемом 8 Гбайт во многом схожи со своими предшественниками на 4 Гбайта. Они по-прежнему требуют использования высоких таймингов для разгона, способны работать на пониженном напряжении (1.35 В), и масштабируются по частоте примерно до 1.65 В. Нагрев микросхем памяти плотностью 4 Гбит незначителен даже при разгоне, так что в радиаторах для них необходимости нет. Но если цены на бюджетные «планки» по 4 Гбайта давно стабилизировались и находятся на уровне 600-700 рублей за модуль, то разброс цен на память объемом 8 Гбайт все еще достаточно большой – от 1500 до 2800 рублей за модуль. Причем по минимальной цене можно купить только то, что совершенно не подходит для разгона.

Модули памяти объемом 8 Гбайт остаются специфическим товаром и пока далеки от того, чтобы стать массовыми, но, несмотря на это, среди них уже есть «из чего выбирать и что разогнать». Если ваши потребности в объеме оперативной памяти все еще можно обеспечить при помощи четырех модулей объемом 4 Гбайта каждый, то на данный момент такой вариант будет выгоднее, чем два модуля по 8 Гбайт. В будущем, скорее всего, снижение цен на память с высокой плотностью продолжится, а разрыв цен между микросхемами Samsung и Elpida сократится. Но пока можно выбрать только два параметра из трех: объем, цена, разгонный потенциал.

реклама

Теперь рассмотрим преимущества и недостатки отдельно по каждому типу протестированных модулей памяти.

Silicon Power SP008GBLTU133N02 (S-POWER 40YT3EB) DDR3-1333 8192 Мбайта

[+] Наличие упаковки.
[+] Низкая цена, в районе 1500 рублей за модуль.
[+] Пожизненная гарантия.
[-] Запаянная упаковка не позволяет проверить память на совместимость и разгон, не повреждая товарный вид. Высока вероятность того, что память вскроют еще до продажи, чтобы проставить на модули наклейки с серийными номерами.
[-] Плохой разгон. На частоте 1600 МГц память смогла работать только с CAS Latency 11.

NCP NCPH10AUDR-13M28 (NCP NP15H51284GF-13) DDR3-1333 8192 Мбайта

[+] Низкая цена, в районе 1500 рублей за модуль.
[+] Пожизненная гарантия.
[-] Плохой разгон. На частоте 1600 МГц память смогла работать только после повышения напряжения до 1.75 В.

Patriot PSD38G13332 (Patriot PM512M8D3BU-15) DDR3-1333 8192 Мбайта

[+] Невысокая цена, лишь немногим выше, чем у памяти на микросхемах Elpida ревизии B (Silicon Power, NCP и прочие).
[+] Микросхемы Micron с плотностью 4 Гбит по разгону хоть и не могут сравниться с Samsung, но все же лучше всех разновидностей Elpida.

GeIL GB316GB1600C10DC (GeIL GL1L512M88BA15BW) DDR3-1600 2×8192 Мбайта

[+] Наличие профиля XMP.
[+] Необычный внешний вид модулей и светодиодная подсветка.
[+] Наличие упаковки.
[+] Использование восьмислойной печатной платы Brainpower.
[+] Пожизненная гарантия.
[-] Плохой разгон. Может работать на частоте чуть выше 1600 МГц даже с пониженным до 1.35 В напряжением, но уровень Micron (и тем более Samsung) недостижим.

реклама

Kingston KVR1333D3N9/8G (Elpida J4208EASE-DJ-F) DDR3-1333 8192 Мбайта

[+] Наличие упаковки.
[-] Высокая цена из-за использования дорогих микросхем Elpida ревизии A («A-Die»).
[-] Плохой разгон. Неспособность работать даже на частоте 1600 МГц.

Samsung M378B1G73BH0-CH9 (SEC K4B4G0846B-HCH9) DDR3-1333 8192 Мбайта

[+] Лучший разгон среди всей протестированной памяти объемом 8 Гбайт, вполне сравнимый с уровнем разгона модулей 4 Гбайт. Может работать как на высоких частотах (до 2400 МГц), так и на низких таймингах (6-7-7-15 1T при номинальной частоте 1333 МГц).
[-] Самый дорогой вариант памяти объемом 8 Гбайт с номиналом 1333 МГц. Но все равно дешевле оверклокерских комплектов, рассчитанных на работу с частотами от 1866 МГц и выше.

С точки зрения разгонного потенциала все протестированные модули (да и вообще всю память с объемом, равным восьми гигабайтам) можно разделить на три типа, в зависимости от производителя микросхем:

Источник